要闻简讯 | 2025年元器件市场前景：AI红利助力被动元件发展，存储芯片预计Q2逐步回暖。
2025年，半导体能否迎来复苏？以存储芯片和被动元件为例，存储芯片因淡季原因，预估第一季度市场情绪仍较平淡，第二季度随着全球经济和各国政策的影响下，可能会有逐步复苏的表现，需求则到下半年会整体反弹。被动元件则主要是由AI拉动，随着英伟达的GB2000迈入量产，供应商出货和价格都获得提升。
被动元件行业
被动元件产业在经历长达三年半的供需调整周期后，已显现明确的复苏迹象。AI服务器技术革新成为核心驱动力，特别是英伟达GB200 AI服务器的量产，推动被动元件在规格、用量及单价三个维度实现显著提升。
行业数据显示，传统服务器单机主板电容用量约2000颗，而英伟达HGX系列（配备8张GPU模块）用量激增10倍至2万颗，GB200型号更进一步提升至20万颗，年复合增长率达15%。其中高阶X6S型通用陶瓷电容新增用量约2000颗。
从价值维度观察，AI服务器电源系统中的被动元件价值提升10-30%，电阻用量增幅达40-60%。以GB200为例，电容价值较传统服务器增加200美元，特定料号价差甚至达10倍。全球MLCC龙头企业村田制作所证实，AI服务器MLCC用量已达传统设备的8倍，预计相关需求将在一年内实现翻倍增长。
值得关注的是，该公司订单出货比（B/B值）已回升至代表行业扩张的1以上，年度净利润预估增长30%至2350亿日元，创近三年最佳表现。
存储芯片市场动态
DRAM领域呈现显著分化格局：HBM（高带宽内存）因AI算力需求激增持续供不应求，而DDR5/4/3等主流产品则面临严重供给过剩。受传统淡季效应、美国政治周期引发的提前备货透支需求，以及买方观望情绪影响，第一季度价格压力加剧。
行业研究机构预测，基础型DRAM价格跌幅将扩大至8-13%（含HBM产品整体跌幅0-5%），细分市场中PC DRAM（季减8-13%）、服务器DRAM（5-10%）、手机DRAM（3-13%）等全线下挫。
NAND市场调整更为剧烈，自2023年下半年开始的疲软态势未见好转，主要厂商已启动产能调控。美光、SK海力士率先实施减产，三星、铠侠等跟进调整生产计划。产业界普遍预期，在政策刺激与经济回暖的双重作用下，第二季度或将成为市场拐点，下半年有望实现需求反弹。当前行业共识认为，存储芯片价格将于第二季度触底，伴随消费电子需求逐步回暖，下半年或将开启新一轮增长周期。
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